五个点来介绍NXP半导体KITPF8200FRDMPGM型的分类及性能：

    （1）元素NXP半导体。元素NXP半导体是指单一元素构成的NXP半导体，其中对硅、硒的研究比较早。它是由相同元素组成的具有NXP半导体特性的固体材料，容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。目前， 只有硅、锗性能好，运用的比较广，硒在电子照明和光电领域中应用。硅在NXP半导体工业中运用的多，这主要受到二氧化硅的影响，能够在器件制作上形成掩膜，能够提高NXP半导体器件的稳定性，利于自动化工业生产。 

    （2）无机合成物NXP半导体。无机合成物主要是通过单一元素构成NXP半导体材料，当然也有多种元素构成的NXP半导体材料，主要的NXP半导体性质有I族与V、VI、VII族；II族与IV、V、VI、VII族；III族与V、VI族；IV族与IV、VI族;V族与VI族；VI族与VI族的结合化合物，但受到元素的特性和制作方式的影响，不是所有的化合物都能够符合NXP半导体材料的要求。这一NXP半导体主要运用到高速器件中，InP制造的晶体管的速度比其他材料都高，主要运用到光电集成电路、抗核辐射器件中。 对于导电率高的材料，主要用于LED等方面。 

    （3）有机合成物NXP半导体。有机化合物是指含分子中含有碳键的化合物，把有机化合物和碳键垂直，叠加的方式能够形成导带，通过化学的添加，能够让其进入到能带，这样可以发生电导率，从而形成有机化合物NXP半导体。这一NXP半导体和以往的NXP半导体相比，具有成本低、溶解性好、材料轻加工容易的特点。可以通过控制分子的方式来控制导电性能，应用的范围比较广，主要用于有机薄膜、有机照明等方面。 

    （4）非晶态NXP半导体。它又被叫做无定形NXP半导体或玻璃NXP半导体，属于半导电性的一类材料。非晶NXP半导体和其他非晶材料一样，都是短程有序、长程无序结构。它主要是通过改变原子相对位置，改变原有的周期性排列，形成非晶硅。晶态和非晶态主要区别于原子排列是否具有长程序。非晶态NXP半导体的性能控制难，随着技术的发明，非晶态NXP半导体开始使用。这一制作工序简单，主要用于工程类，在光吸收方面有很好的效果，主要运用到太阳能电池和液晶显示屏中。 

    （5）本征NXP半导体：不含杂质且无晶格缺陷的NXP半导体称为本征NXP半导体。在极低温度下，NXP半导体的价带是满带，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动。它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子-空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时NXP半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子-空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净NXP半导体的电阻率较大，实际应用不多。

    实物如下图所示：