倍加福P+F光传感器和光电传感器的区别详解

　　因我司在德国、美国都有自己的公司 ,专业从事进口贸易行业,所以我司的技术人员都会轮流到国外厂家学习技术，以下是我司技术人员为大家介绍倍加福P+F光传感器和光电传感器的区别详解：

　　光传感器通常是指能由能敏锐感应紫外光到红外光的光能量，并将光能量转换成电信号的器件。光传感器是一种传感装置，主要由光敏元件组成，主要分为环境光传感器、红外光传感器、太阳光传感器、紫外光传感器四类，主要应用在改变车身电子应用和智能照明系统等领域。现代电测技术日趋成熟，由于具有精度高、便于微机相连实现自动实时处理等优点，已经广泛应用在电气量和非电气量的测量中。然而电测法容易受到干扰，在交流测量时，频率响应不够宽及对耐压、绝缘方面有一定要求，在激光技术迅速发展的今天，已经能够解决上述的问题。

　　光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应。光电效应是指光照射在某些物质上时，物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。根据光电效应现象的不同将光电效应分为三类：外光电效应、内光电效应及光生伏*应。光电器件有光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等。分析了光电器件的性能、特性曲线。

　　光电传感器一般由处理通路和处理元件2部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3类：（1）在光线作用下能使电子溢出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；（2）在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；（3）在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏*应，如光电池等。

　　倍加福P+F传感器市场需求很大，种类很多，其中人们较常使用的有光传感器和光电传感器两种，虽然只有一字之差，但两者的差异很大。

　　1、定义不同：

　　光传感器通常是指能由能敏锐感应紫外光到红外光的光能量，并将光能量转换成电信号的器件。

　　光电传感器是采用光电元件作为检测元件的传感器。它先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。

　　2、工作原理不同：

　　光传感器：由投光器及受光器组成，投光器将光线经由透镜聚焦，然后作进一步的开关及控制。投光器之光源因各种需要不同，有一般灯泡、红光、绿光LED等。受光器为接收投光器送来之光信号，并将它转换成电信号，其主要组件为硅晶体组件，其性质可分为光敏晶体管，光二极管及光敏电阻，如今光电产品普遍已采用光敏晶体管，其优点为高速度的开关功能及敏感度佳。

　　光电传感器：发送器对准目标发射光束，发射的光束一般来源于半导体光源，发光二极管（LED）、激光二极管及红外发射二极管。光束不间断地发射，或者改变脉冲宽度。

　　以上就是倍加福P+F光传感器和光电传感器的区别详解供大家参考！

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